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揭陽變壓器回收、二手配電柜回收交易市場,LED驅動高頻變壓器設計的探討

時間:2017-12-20 23:54來源:廣州變壓器配電柜回收網 作者:回收小哥 點擊:
隨著LED照明越來越廣泛的應用,用原有的開關電源設計方式來設計變壓器已不能滿足現在的要求,人們對LED照明燈具
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廣州益夫銷毀公司,提供文件銷毀、食品銷毀、化妝品銷毀、日化用品銷毀、產品銷毀等服務網,網址:www.yifhs.com 揭陽變壓器回收、二手配電柜回收交易市場,LED驅動高頻變壓器設計的探討,

  隨著LED照明越來越廣泛的應用,用原有的開關電源設計方式來設計變壓器已不能滿足現在的要求,人們對LED照明燈具的體積,成本等提出更加嚴格的要求。為了適應這種需求,變壓器回收濕度60%,頂層油溫35表5第2臺變壓器低電壓短路試驗的數據分接檔位U平均/V I平均/A 1檔9檔17檔注:環境溫度27C,濕度60%,頂層油溫34°C. 34.3%,2次的比較結果均超過GB/T要求的不大于±10%,由此可判斷該主變的銘牌容量與實際不符。根據式(3)并對照國標,可推算出該主變的實際容量為50000kV.A.由表4和表5可知,變壓器的短路阻抗百分數在不同檔位的測量結果是不同的,因為變壓器處于不同的分接位置,對應著不同的直流電阻值和阻抗電壓值,所以測量時要注意分接開關的位置,以便與銘牌值對比。 ,人們開始研究新型的新型的電源設計。反激式電源變換器的優勢是成本,簡單和容易得到多路輸出,而變換器設計的關鍵之一就是變壓器的設計,在此我們所說的變壓器不是真正意思上的變壓器,而更多的是一個能量存儲裝置。反激式變壓器在初級導通期間,能量存儲在磁芯中,關鍵期間存儲的能量被釋放出來到輸出端,初次級的電流不是同時流動的。

  1 引言

  目前比較流行的低成本,超小占用空間方案的設計基本都是采用PSR原邊反饋反激式。通過原邊反饋穩壓省掉電壓反饋回路(如TL431和光耦等)和較低的EMC輻射省掉Y電容,不僅省成本而且省空間,得到很多電源工程師采用,這是一種新型的電源設計方式。

  2 名詞解釋

  2.1 初始磁導率μi

  初始磁導率是磁芯材料的磁導率(B/H)在磁化曲線始端的極限值,即μi=(1/μ0)limh->0B/H。

  式中μ0為真空磁導率(4πX10-7 H/m);

  H 為磁場強度(A/m);

  B 為磁通密度(T)。

  2.2 有效磁導率μe

  在閉合磁路中,如果漏磁可忽略,可以用有效磁導率來表征磁芯的性能。

  μe=(L/μ0N2)·le/Ae

  式中 L為裝有磁芯的線圈的電感量(H);

  N為線圈匡數;

  Le為有效磁路長度(m);

  Ae為有效截面積(m2)。

  2.3 飽和磁通密度Bs(T)

  磁化到飽和狀態的磁通密度。見圖1.

  2.4 剩余磁通密度Br(T)

  從飽和狀態去除磁場后,剩余的磁通密度。見圖1.

  2.5 電阻率ρ(Ω/m)

  具有單位截面積和單位長度的磁芯材料的電阻。

  2.6 密度d(kg/m3)

  單位體積材料的重量,即d=W/V

  式中 W為磁芯的重量(kg);

  V為磁芯的體積(m3)。

  2.7 功率損耗Pc(kW/m3 、W/kg)

  磁芯在高磁通密度下得單位體積損耗或者單位重量損耗。該磁通密度可表示為Bm=E/(4.44fNAe)。

  式中 E為施加在線圈上得電壓有效值(v);

  Bm為磁通密度的峰值(T);

  f為頻率(HZ);

  N為線圈匡數;

  Ae為有效截面積(m2)。

  2.8 電感因數AL (nH/N2)

  電感因數定義為具有一定形狀和尺寸的磁芯上每一匡線圈產生的電感量,即AL=L/N2

  式中 L為裝有磁芯的線圈的電感量(H);

  N 為線圈匡數。

  3 變壓器設計

  我們舉例說明:

  輸入電壓90~264V,輸出電壓32V,輸出電流0.64A。設計合適的變壓器,變壓器回收由表3可知,隨著外施電流的增加,短路阻抗百分數Zk變化很小,測量值與銘牌值的誤差最大不超過0.3%,說明110kV變壓器的短路阻抗百分數是線性的。 ,同時,盡量采用較經濟的額定值為600V的MOSFET.

  3.1 挑選磁芯

  考慮到成本因素,在此選擇PC40材質,查PC40資料得:

  Bs=0.39T Br=0.06T

  ΔB=Bs-Br=0.39T-0.06T=0.33T

  為了防止磁芯的瞬間出現磁飽和,取0.75*ΔB=0.25T(0.25T)

  用AP法計算磁芯:

  AP=[(Po/n+Po)*1000]/(2*ΔB*Fs*1000*J*Ku)

  AP=[(32*0.64/0.9+32*0.64)*1000]/(2*0.25*50*1000*600*0.2)

  =0.1801458CM4

  根據以上結果,選擇磁芯為EE22。

  3.2 確定次級線徑及圈數

  從變壓器最小漏感設計入手,已知輸出電路為32V,0.64A。銅線電流密度選600A/cm2,次級銅線直徑為SQRT(0.64/6/3.14)*2=0.3685mm,約為0.4mm.采用三層絕緣線實際直徑為0.6mm。

  通過測試或者查詢BOBBIN得知,EE22的幅寬為8mm,計算得一層圈數13T,為了減少漏感把次級設計為1整層,所以圈數位13的倍數。

  我們選2層,因考慮到每層不均勻,所以少一圈。即25T。

  3.3 確定初級線徑及圈數

  因我們所選MOSFET的耐壓為600V,考慮到漏感峰值,需留出50-100V的電壓余量,所以反射電壓需控制在100V以內。

  依據(Vout+Vf)*n<100;即:n<100/(32+1),n=3.,取n=3

  得到初級匡數為NP=25*3=75T;

  代入上式檢驗:(Vout+Vf)*(NP/NS)<100,

  即得出:(32+1)*(75/25)=33<100;成立;

  確定了NP=75T,假設分為2層來繞,因多層考慮到出現間隙和次級上面的不均勻,至少留1圈間隙。所以選74T,

  得初級銅線可用外徑為8/(74/2+1)=0.21mm.,

  查表為銅線直徑為0.15mm.

  初級峰值最大電壓:

  Ipk=2*Pout/(Vin_min*Dmax*η)=1.025664

  Dmax=(Np/Ns)*(Vout+Vf)/(Vin_min+Np/Ns)(Vout+Vf)=0.479   Vin_min=Vac_min*1.414-20=107V

  根據電流密度選600A/mm2,至少要0.17mm.

  綜合考慮所以選0.38mm線徑,繞4層。

  3.4 VCC圈數和線徑

  VCC電壓值12V,考慮到各種因素,我們選擇15V左右,得到:

  Nv/Vnv=Ns/(Vout+Vf),

  得:Nv=11.2T,選擇12T。

  由于PSR采用Nv線圈穩壓,所以Nv的漏感也需要控制,采用0.2mm的線徑均勻繞置整層。

  3.5 變壓器繞線順序,采用廣州治繞法

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